離子束濺射系統

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沈陽宇傑真空設備有限公司

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YJ-CL-560型雙室磁控濺射系統

YJ-CL-560型雙室磁控濺射系統

  • 詳細介紹

YJ-CL-560型雙室磁控濺射系統

YJ-CL-560型雙室磁控濺射系統

◆設備用途

用于纳米级单层及多层功能膜、 硬质膜、 金属膜、 半导体膜、 介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、 科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

◆設備組成

主要由主溅射真空室、 磁控溅射靶、 基片水冷加热台、 进样室、 样品库、 退火炉、 反溅靶、磁力送样机构、 工作气路、 抽气系统、 安装机台、 真空测量及电控系统等部分组成。

◆技術指標(以下技術指標均可根據客戶要求進行改變)

1、采用單室立式前開門立式結構,換樣進樣操作方便,不鏽鋼材料和真空材料。

2、极限真空度:溅射室极限真空度≤5×10-5Pa; 抽速:当一次试验完成后,在真空状态下,关闭分子泵上方的闸板阀(此时分子泵正常工作),对真空室冲入干燥氮气至一个大气压后(前开门处于关闭状态)停止充气,采用旁抽阀门和管路对真空室抽真空,当达到10Pa或者更高时,打开分子泵上方的闸板阀,关闭旁抽阀,100min后,工作真空度可达到:5×10-4Pa; 压升率:停泵关机12小时后真空度≤10Pa; 系统漏率:5×10-7PaL/S; 真空机组采用国产分子泵+国产机械泵抽气系统。

3、磁控靶及電源:3英寸磁控靶3個,其中兩個爲標准磁場磁控靶,一個爲強磁場磁控靶。磁控靶即可直流也可射頻;RF電源一台,功率600w,13.56MHz,自動匹配;DC兩台,功率500w;當直濺射鍍鍍制多層膜時,靶與樣品之間的距離爲40mm~120mm

4、樣品台:樣品台最高的加溫溫度爲500℃,程序控溫;升溫速率、恒溫時間可控;

5、膜厚要求:Cu、Al膜的厚度爲4~5微米,Ni、聚四氟乙烯膜的厚度在1~2微米時,在2英寸範圍內,膜的厚度均勻性在5%以內。

6、附著力要求:薄膜與玻璃片、矽片或者陶瓷基底的附著力能夠承受3次膠帶拉伸試驗,薄膜沒有被破壞。

7、樣品具有反濺射功能,可對樣品進行鍍前預清洗。

8、設備配有陽極層離子源,可對樣品進行清洗,同時,可在鍍膜時,對樣品進行輔助沈積。

9、工藝氣體:工作氣路2路:獨立質量流量控制器2路,用于反應氣體進氣和氩氣氣路,采用質量流量計;具有混氣功能;腔內氣壓可測可調可控。

10、濺射室烘烤照明:采用紅外加熱除氣方式,烘烤溫度:150℃。

11、真空室內有襯板,避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上。(在後面表格體現)

12、設備具有斷水斷電連鎖保護功能,有防止誤操作保護功能。

13、系統采用計算機控制膜制備過程,整個鍍膜過程可在電腦界面上操作,程序控制切換靶材;鍍膜過程由計算機軟件系統控制完成,包括計算機硬件、軟件等,可控制靶擋板、樣品轉動、樣品控溫等。

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